IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極晶體管）的首字母縮寫。它是一個功率晶體管，其輸入部分采用MOS結構，輸出部分采用雙極結構。因為適用于高電壓和高電流，它能夠以較少驅動功率控制大電源。其應用包括感應加熱烹飪設備。還可用于直流固態(tài)繼電器

IGBT是雙極型晶體管（BJT）和MOSFET的復合器件，IGBT將BJT的電導調制效應引入到VDMOS的高祖漂流區(qū)，大大改善了器件的導通特性，同時它還具有MOSFET的柵極高輸入阻抗的特點。IGBT所能應用的范圍基本上替代了傳統(tǒng)的功率晶體管。

絕緣柵雙極型晶體管本質上是一個場效應晶體管，在結構上與功率MOSFET相似，只是在員工率MOSFET的漏極和襯底之間額外增加了一個P+型層。