IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極晶體管）的首字母縮寫。它是一個(gè)功率晶體管，其輸入部分采用MOS結(jié)構(gòu)，輸出部分采用雙極結(jié)構(gòu)。因?yàn)檫m用于高電壓和高電流，它能夠以較少驅(qū)動(dòng)功率控制大電源。其應(yīng)用包括感應(yīng)加熱烹飪?cè)O(shè)備。還可用于直流固態(tài)繼電器

IGBT是雙極型晶體管（BJT）和MOSFET的復(fù)合器件，IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS的高祖漂流區(qū)，大大改善了器件的導(dǎo)通特性，同時(shí)它還具有MOSFET的柵極高輸入阻抗的特點(diǎn)。IGBT所能應(yīng)用的范圍基本上替代了傳統(tǒng)的功率晶體管。

絕緣柵雙極型晶體管本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在結(jié)構(gòu)上與功率MOSFET相似，只是在員工率MOSFET的漏極和襯底之間額外增加了一個(gè)P+型層。